2Xnm世代以降の旗艦工場に
「2008年秋のリーマン・ショックの後，最も早く需要が回復した電子部品はNANDフラッシュ・メモリだった。現在は，SSDや電子書籍端末などへ，アプリケーションのすそ野が急速に広がっている。これに応えるために，今こそ新工場を着工すべきと判断した」（東芝 執行役上席常務 セミコンダクター社 社長の小林清志氏）──。
NANDフラッシュ・メモリの市場シェアで韓国Samsung Electronics Co., Ltd.に続く第2位の東芝が，次の10年を見据えた新製造棟「Fab5」の建設を三重県四日市市で開始した。「Fab3」と「Fab4」に続く3番目の300mmウエハー対応ラインで，米SanDisk Corp.と折半出資する。東芝は2010～2012年度に半導体事業に約5000億円を投資する計画であり，大半をFab5に投じる。
東芝は当初，Fab5について2009年春に着工する予定だった。ところが，リーマン・ショック後にNANDフラッシュ・メモリが供給過剰に陥った結果，延期を余儀なくされた。その後，需要は「2009年4～6月から回復に向かい，同年7～9月には工場がフル稼働の状態になった」（東芝）という。旺盛な需要を受けて，同社は2009年後半以降，新製造棟の着工時期を見計らっていた。
『日経エレクトロニクス』2010年8月9日号より一部掲載
