エルピーダメモリのTSV製造ライン
チップ同士を3次元的に接続するTSV（Si貫通電極）の市場が，一気に立ち上がる可能性が出てきた。これまでは画像センサなどの一部の用途に限られていたが，TSVを使った大容量DRAMの量産が早ければ2010年内にも始まる見通しとなった。
さらに，2012年前後にはTSVによるメモリと論理LSIの多点接続も始まる可能性が高まった。これにはメモリ・メーカーと論理LSI関連メーカーの協業が欠かせないが，ここへ来て具体的な提携の動きが出始めたからだ。エルピーダメモリ，ファウンドリー企業の台湾United Microelectronics Corp.（UMC），半導体後工程を請け負う台湾Powertech Technology Inc.（PTI）の3社は，28nm世代を含む先端技術向けのTSVに関して提携すると発表した。エルピーダメモリのDRAM向けTSV技術を核に，論理LSIの顧客基盤を持つUMCのSiファウンドリー技術と，PTIの低コスト後工程技術を持ち寄る。
台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.（TSMC）も20nm世代からTSVに対応することを明らかにしており，今後，メモリと論理LSIのTSV接続が本格的に導入される可能性が高い。
『日経エレクトロニクス』2010年7月12日号より一部掲載
