半導体製造技術の国際会議「IEDM 2009」が，2009年12月上旬に米国ボルティモアで開催された。注目を集めたのは，2009年末以降量産が本格化しつつある32nm/28nm世代の半導体製造技術である。Intel社やIBM連合の一挙手一投足に，会場を埋め尽くした技術者はくぎ付けになった。さらなる微細化については今回，16nm世代の実現が見えた。0.5V動作の混載SRAMを筆頭に，低消費電力化技術の開発にも拍車が掛かってきた。
2009年12月9日，午前9時の米国ボルティモア。半導体製造技術関連で世界最大の国際会議「2009 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2009）」が開かれているHilton Baltimoreの会議場は，異様な熱気に包まれていた。数百人は優に入る会議場のイスはすべて埋まり，立ち見でも聴講しようとする技術者が引きも切らない。
多くの技術者が会場に押し寄せたのは，現在の半導体業界を牽引する2陣営による注目の発表が控えていたからだ。一つが，半導体世界最大手の米Intel Corp.が満を持して披露する32nm世代のSoC（system on a chip）向け製造技術。もう一件が，今や半導体業界で世界最大の技術開発アライアンスとなった米IBM Corp.連合による28nm世代のSoC向け製造技術である。IBM連合のこの発表に名を連ねた半導体メーカーは，IBM社に加えて7社である。
高性能のIntel，低電力のIBM
処理性能で抜きんでるIntel社，低消費電力化で優れるIBM連合──。今回の両陣営の発表から導き出せる結論は，こうだ。すなわち，対象とする機器によって，Intel社とIBM連合のSoC製造技術は明確に向き不向きが分かれる。
例えば，テレビやBlu-ray Discレコーダー，セットトップ・ボックス（STB）などの据置型AV機器，およびルータなどのネットワーク機器といった高い処理性能が要求される機器を想定した場合は，Intel社の製造技術が優位である。IBM連合に比べて，より処理性能が高いSoCを実現できるからだ。一方，携帯電話機やデジタル・カメラ，ビデオ・カメラといった携帯型機器向けでは，IBM連合の製造技術に分がある。より消費電力が低いSoCを実現しやすいためである。
