出力に対する効率と隣接チャネル漏洩電力比
半導体設計のベンチャー企業である米Black Sand Technologies，Inc.は，第3世代携帯電話（3G）の端末向けパワー・アンプをCMOS技術で開発した。電力付加効率（PAE）は，送信出力27.8dBm（約600mW）の場合に41.7％と高い。出力特性の線形性の指標である隣接チャネル漏洩電力比（ACLR）は同じ送信出力27.8dBmの場合に－40.0dBcと，こちらも優れた特性を示す。多値変調への耐性を示すEVM（error vector magnitude）の値は3％以下であり，3Gの携帯電話サービスで利用する1次変調方式に十分対応できる。
日本のあるパワー・アンプ開発者は，これらの値について「GaAs品では同等性能品があるが，CMOS品では初めてだ」と指摘する。これまで，3G端末のRF回路のパワー・アンプは，GaAs技術の利用が一般的だった。今回，CMOS技術でGaAs品と同等性能のパワー・アンプが実現できたことで，RF送受信ICへのパワー・アンプの集積化が，一気に進む可能性が出てきた。
『日経エレクトロニクス』2009年10月19日号より一部掲載
