サーバー機向け電源の電力損失を1/3以下に
Siに続く次世代のパワー半導体として，SiCとともに期待を集めていたGaN系パワー半導体素子（以下，GaN系パワー素子）。これまでは実用化の面で SiCの後塵を拝していたが，ついに2011年から市場投入されることが明らかになった。富士通は，同社のサーバー機向け電源のスイッチング素子として，GaN系トランジスタを採用する予定だ。GaN系パワー素子に関しては学会発表などが盛んだったが，具体的な用途と製品化時期が明示されるのは今回が初めてである。
GaN系パワー素子は，導通損失とスイッチング損失を抑制できることから，電源回路に応用すると，その電力損失を大幅に低減できる。しかし，コスト面や電気特性面などに課題があり，トランジスタの実用化が遅れていた。
今回，この状況が大きく変わった。GaN系トランジスタの積極的な事業化を目指すメーカーが現れたためだ。まず，富士通研究所が，GaN系HEMTとショットキー・バリア・ダイオード（SBD）を，2011年後半までに電源回路に搭載できる水準に引き上げる。2012～2013年には，量産する考えだ。出荷するのはノーマリー・オフ型のGaN系HEMTで，まずは富士通のサーバー機向け電源装置に応用し，次にノート・パソコンのACアダプタに展開する予定である。富士通研究所の試算によれば，サーバー機の電源回路にGaN系HEMTを利用すれば，Si製トランジスタを利用する場合と比較して，電力損失を約1/3にまで低減できるという）。
古河電気工業と富士電機アドバンストテクノロジーの研究グループも， 2011年度中の実用化を目的に，技術研究組合「次世代パワーデバイス技術研究組合」を発足させた。
『日経エレクトロニクス』2009年7月27日号より一部掲載
