複雑度100，π=1，周囲温度25℃の時，λｐの値は，バイポーラ・ディジタルIC，アナログIC，MOS IC共に23FIT程度になる。ただし，アレニウス型の温度依存性を示すπTの部分(図1の左側直線部分)は，バイポーラ・ディジタルで直線の傾斜に対応する活性化エネルギーが0.41eV，アナログとMOSでは0.7eVである。後者の方がずっと温度依存性が大きく，温度が少し変化すると故障率が大きく変化する。すなわち故障率の温度加速係数が大きい。
図1 MIL-HDBK-217BによるLSIの故障率
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ごく一般的に言えば，デバイスの故障率は，年度ごとにかなり急速に減り，年率約2分の１程度と考えられる。別の言い方からすると複雑度，集積度が増大してもゲート当たりのλはそれに逆比例して改善されテバイス全体としては，あまり変わらないといってよいだろう。
表1は部品故障率データの例であるが，同種部品でもメーカーにより，使用条件などによって3桁程度のバラつきがあることに注意すべきである5)，6)。
表1 電子部品の故障率の実例（FIT＝1/109時間）
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