本記事は、日経WinPC2013年7月号に掲載した連載「PC技術興亡史」を再掲したものです。社名や肩書などは掲載時のものです。

 来年以降少しずつ普及が始まるDDR4SDRAMで、メモリー編を完結させよう。DDR4の仕様は2005年に策定が始まった。最終的に「JESD79-4」として仕様がまとまったのは2012年9月。つまり7年近くかかった。この間に少なくとも2回、完全にご破算になって新規にやり直した。

 2008年秋の段階では、2012年にDDR4が投入される予定だった。DDR3の電圧を1.2V/1.0Vまで下げ、かつメモリーモジュール(DIMM)の数を1枚に制限することで2.67Gbps程度まで可能になると考えられた。実際には電気的に無理があって、この案は流れた。次が2010年ごろの改定案。伝送方式にディファレンシャル方式を追加し、最大4.3Gbpsを実現できると考えられた。しかしシングルエンド方式と互換性が無いことから、この案も流れた。結局、シングルエンド方式で、電気的工夫を凝らすことで、仕様が定まった。

 DIMMの枚数は結局、1チャンネル当たり1枚に制限された。複数枚のDIMMを装着するには、スイッチを介在させる(図1)。現在のDDR3でも1チャンネル当たり2枚が限界。サーバー用など向けにメモリーハブを介してチャンネルに最大4枚のDIMMを装着する方法が開発済みだ。また、モバイル向けPCでは1チャンネル1枚はごく普通。その意味でDDR4の構成がDDR3と大きく異なるわけではない。

図1 DDR4 SDRAMでは、1チャンネル当たり1枚のモジュールしか接続できない。そこで、モジュールとメモリーコントローラー(CPUまたはチップセットに搭載)の間にスイッチを配置。スイッチで随時アクセスするメモリーを切り替えることで、利用できるメモリーモジュールの枚数を増やす。