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HOMEエレクトロニクス電子デバイス【年末特集】専門記者が振り返る2013年 > 次世代パワー半導体、この1年――素子開発の競争が激化、アジア勢の参入相次ぐ

【年末特集】専門記者が振り返る2013年

次世代パワー半導体、この1年――素子開発の競争が激化、アジア勢の参入相次ぐ

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/12/26 10:33
  • 1/1ページ
SiCやGaNといった次世代パワー半導体は現行のSiベース品に比べて、インバータやコンバータなどで大幅な効率向上や小型化を見込める。2013年はSiCやGaNを用いたパワー素子の採用事例が徐々に増えるとともに、同素子の激しい開発競争が繰り広げられた。
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