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【PS4分解その7】電源モジュールの中を見てみる

日経エレクトロニクス分解班
2013/11/20 11:43
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図1 電源モジュールをPS4本体から取り出しているところ。
図1 電源モジュールをPS4本体から取り出しているところ。
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 引き続き、PS4の電源(AC-DC変換)モジュールの中を見てみる(図1)。数本のネジを外し、電源モジュールのカバーを外す。中に実装されている、主なパワー半導体素子を調べた。図2の説明文に、パッケージの刻印から推定できる各パワー半導体チップの種類と特性、メーカー名などを記した。

 なお、動作状況によるが、ソニー・コンピュータエンタテインメント(SCE)によれば電源モジュールの効率は90%台に到達するという。PS3では、80%台だったとする。

図2 番号1は、STMicroelectronics社のMOSFET。「24N60M2」の刻印がある。ドレイン電流は18Aで、オン抵抗は最大0.19Ω、耐圧600V級の素子である。番号2は、STMicroelectronics社のダイオード。「STTH8R06FP」の刻印がある。順方向電流は平均8Aで、順方向電圧は標準1.4Vの耐圧600V級の素子である。番号3は、東芝のMOSFET。「K12A60U」の刻印がある。ドレイン電流は12Aで、オン抵抗は標準0.36Ω、耐圧600V級の素子である。番号4は、Fairchild Semiconductor社のMOSFET。「035N06B」の刻印がある。ドレイン電流は88Aで、オン抵抗は標準2.91mΩ、耐圧60V級の素子である。番号5は、STMicroelectronics社のダイオード。「STPS20400CFP」の刻印があった。以上は日経エレクトロニクス推定。
図2 番号1は、STMicroelectronics社のMOSFET。「24N60M2」の刻印がある。ドレイン電流は18Aで、オン抵抗は最大0.19Ω、耐圧600V級の素子である。番号2は、STMicroelectronics社のダイオード。「STTH8R06FP」の刻印がある。順方向電流は平均8Aで、順方向電圧は標準1.4Vの耐圧600V級の素子である。番号3は、東芝のMOSFET。「K12A60U」の刻印がある。ドレイン電流は12Aで、オン抵抗は標準0.36Ω、耐圧600V級の素子である。番号4は、Fairchild Semiconductor社のMOSFET。「035N06B」の刻印がある。ドレイン電流は88Aで、オン抵抗は標準2.91mΩ、耐圧60V級の素子である。番号5は、STMicroelectronics社のダイオード。「STPS20400CFP」の刻印があった。以上は日経エレクトロニクス推定。
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