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HOMEエレクトロニクス電子デバイス受動部品をSi上に形成 > IPDがTSVとともにRF回路へ(4)

受動部品をSi上に形成

IPDがTSVとともにRF回路へ(4)

  • Jérôme Baron,Jean-Marc Yannou = 仏Yole Développement社
  • 2012/12/13 00:00
  • 1/4ページ

WLP内での採用が進む

 ディスクリートの受動部品は,電子機器の筐体内やパッケージ内で主に使われている。これに対してIPDには大きな利点があるため,WLP内でも利用されるようになるだろう。TSVによるパッケージング技術が進化することで,高性能のRF回路向け実装を可能とすると期待している。

図13 大容量キャパシタをトレンチ構造で実現
深掘りの穴によるトレンチ構造で大容量のキャパシタを実現した例。深掘りにDRIEプロセスを利用している。フランスipdia社のデータ。
[画像のクリックで拡大表示]

 また,3次元積層向けTSVとIPDを使ったインタポーザは,先端ロジックLSIに付加価値を与える。最先端ラインによる配線ピッチを,低いコストでプリント基板に適用することを可能にするためだ。この手法の利点は,電気的な性能や消費電力が優れることに加え,小型で低コストなことである。

 なおIPDは,LSIの旧世代ラインと最新のWLPとバンプ形成ラインの両方で製造する。ダイオードのような能動回路部の製造には,そのためのLSI製造ラインが必要となる。ディープ・トレンチによるキャパシタは,大容量で高密度のIPDに使われており,その製造にはTSVプロセスで必要なDRIE(deep reactive ion etching)と薄膜形成の技術を使っている(図13)。

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