Siインタポーザなど実装へも展開

　今後，IPDの応用範囲はさらに拡大するだろう。特にTSVによる垂直配線でIPD間を接続するようになれば，Siインタポーザのような新しい応用が市場に多数登場することになると，われわれは予測している。実際，多くのIPDメーカーが，Siインタポーザによってパッケージ基板内の高密度配線が可能になると考えている（図11）。

図11　SiPやWLPにIPDを利用した開発が進む<br>（a）SiPにIDPを適用した開発事例。オランダNXP Semiconductors社のデータ。（b）IPDで実現したSiインタポーザをファンアウト型WLPに適用したイメージ。著者のデータ。
図11　SiPやWLPにIPDを利用した開発が進む
図11　SiPやWLPにIPDを利用した開発が進む
（a）SiPにIDPを適用した開発事例。オランダNXP Semiconductors社のデータ。（b）IPDで実現したSiインタポーザをファンアウト型WLPに適用したイメージ。著者のデータ。
[画像のクリックで拡大表示]

　Siインタポーザの応用では，デカップリング・キャパシタがある。これによって，ロジックLSIの消費電力は低減できる。デカップリング・キャパシタは，ロジックLSIのすぐ近くに置くためパッケージ内に実装する。キャパシタとLSIとの距離である「デカップリング・ループ」を短縮することによって，特に高速動作のデジタル回路で，デカップリングによるパワー・インテグリティの問題を抑制できる。

　ロジックLSIの応用では，FPGA（field programmable gate array），マイクロプロセサ，グラフィックス処理プロセサ，ベースバンド処理LSI，医療用プロセサなどにおいて，IPDによるデカップリング・キャパシタの利用が有効である。