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HOMEエレクトロニクス電子デバイス受動部品をSi上に形成 > IPDがTSVとともにRF回路へ(2)

受動部品をSi上に形成

IPDがTSVとともにRF回路へ(2)

  • Jérôme Baron,Jean-Marc Yannou = 仏Yole Développement社
  • 2012/12/11 00:00
  • 1/3ページ

Si製造プロセスを受動部品にも

 薄膜を使わないIPDは,元々,ディスクリートの受動部品を単純に置き換えるために開発された。現在ではEMI/ESD対策のために,多く使われるようになっている。例えばRF(無線周波)回路や高輝度LEDのSi基板,そしてデジタル回路とアナログ回路の混在デバイスに搭載されている(図8)。

図8 薄膜IPDの用途は幅広い
薄膜IPDの応用例を整理した。現在はESD/EMI対策向けに使われている。市場牽引をもたらすのはRF分野である。著者のデータ。
[画像のクリックで拡大表示]

 薄膜IPDは,半導体業界において前工程と後工程の架け橋となる基盤技術といえる。これらの部品は,WLP(wafer level packaging)技術やTSV(Si貫通ビア)技術の応用範囲を半導体パッケージのみならず,受動部品の分野にも広げる可能性がある。

 受動部品とは,一般には抵抗器,インダクタ,キャパシタ,フィルタなどのデバイスである。その応用回路には,整合回路や各種の変換回路などがある。このような回路で受動部品が使われるのは,基本的には回路の性能を最適化するとともに,特性のバラつきを補正するためである。

 IPDは,このような受動部品の機能を実現する。さらに,受動部品をLTCC(low temperature co-fired ceramics)で埋め込む従来技術に比べて利点がある。それは,受動部品を埋め込んだ積層デバイスを小型かつ高性能にできることだ。

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