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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 受動部品をSi上に形成

受動部品をSi上に形成

抵抗,キャパシタ,インダクタなどの受動部品をSi基板上に作り込むIPD(integrated passive device)。特に欧州で活発なこの技術開発が,日本を含むアジア地域や米国でも進み始めた。IPDの市場と応用の最新動向を調査会社がまとめた。IPD市場は,RF(無線周波)回路向けを中心に,今後5年間に平均16%/年の成長を遂げるとする。応用範囲は,受動部品の単なる置き換えにとどまらないという。TSV(Si貫通ビア)とともにパッケージング技術に浸透していく。Siによる製造技術の応用範囲が,受動部品やパッケージングの世界に広がることになる。

IPDの開発例と応用例
IPDの開発例と応用例
図と写真は,上段の左からフランスipdia社,オランダNXP Semiconductors社。中段の左から米Cree, Inc.,NXP,NXP。下段の左から台湾Advanced Semiconductor Engineering Inc.,伊仏STMicroelectronics社,ベルギーIMEC。

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