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2020年の配線/接合の基盤技術を解説(1)

須賀 唯知=東京大学 教授,大塚 寛治=明星大学 名誉教授・特別顧問
2012/10/15 00:00
出典:日経マイクロデバイス、2010年1月号 、pp.85-87 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
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 2020年におけるデバイス実装の基盤となり得る配線/接合技術を開発した。数十Gビット/秒の高速伝送を端子のピッチが数μmの高密度パッケージで実現する。

 この実装技術は,(1)ペア線路による高速信号伝送と(2)常温での接合を要素技術とする。(1)のペア線路は,隣接配線間のクロストーク(干渉)を抑制する。これによって,従来からの2値伝送による簡素な入出力インターフェースを利用できる。(2)の常温接合は,固体材料の表面活性を利用して150℃以下の低温での接合を実現する。材料同士を直接接合させるため,界面層をなくし,高信頼かつ低コストにできる。

 これらの技術を含んだ実装基盤技術を「IMSI Model Ⅱ」と名付けて体系化した。そして,産学の共同研究機構であるIMSI実装工学コンソーシアムを通じて特許などを公開している1)

1)http://www.imsi.jp/

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