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裏面照射型CMOSセンサーに参入相次ぐ

三宅 常之=Tech-On!
2012/09/19 20:00
出典:日経マイクロデバイス、2009年9月号 、 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
左上はBSI型CMOSセンサーで撮影した画像。Aptinaが提供。この右の2枚は上が従来のCMOSセンサー,下がBSI型CMOSセンサーで 撮影した画像。下の3 枚の写真は,左からBSI型CMOSセンサー,これを使ったデジタル・ビデオとデジタル・カメラ。以上はソニーのデータ。

CMOSセンサーの高感度化技術BSI(裏面照射)をイメージ・センサー各社が相次いで採用している。BSI技術の導入によって,CMOSセンサーのCCDセンサーに対する唯一の欠点ともいえた感度の低さが解消する。CCDセンサーの最後の砦といえた1000万画素以上のデジタル・カメラや500万画素以上のカメラ付き携帯電話機を,BSIの量産化でCMOSセンサーが対象にできるようになる。ただしBSI型には製造コストが高いという課題がある。センサー各社は,BSI型の加工コストの低減を進めている。

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