DRAMの技術力の柱となる微細化では本当に勝てていますか。

 競合に半年~1年の差を付けています。現在量産している68nmに続く56nmを,2008年半ばから量産します。さらに,40~30nmは実現のメドを付けました。

DRAMの20nm以降についてはいかがでしょうか。

 製造技術やデバイス性能にまだ見通しが立ちません。DRAMはセル構造が複雑なため,リソグラフィの位置合わせがかなり難しくなります。キャパシタ容量の減少も問題です。ただし,これらの問題についてはDRAMを長年手掛けてきた経験から熟知しています。何らかの新しい解決手段を見つけてみせます。

NAND型フラッシュでは,東芝に先行を許しました。同社は既に43nm品をサンプル出荷しています。

 確かに少し先行されましたが,問題になる差ではありません。われわれも近く42nm品をサンプル出荷し,上期中に量産を始めます。量産の立ち上げスピードでは競合に負けません。液浸露光を導入した51nmの立ち上げでは,われわれが勝りました。