NAND型フラッシュ・メモリーは，50nm世代の量産を間近に控え，「微細化限界」が指摘されてきた40～30nm世代の量産時期がいよいよ3～4年以内に迫ってきた。フラッシュ各社はどのような技術でこの壁を破るのか。東芝と激しい開発競争を繰り広げている韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.の半導体研究部門の責任者に聞いた。

1983年に入社以来，64K～4GビットのDRAMや2G ～8GビットのNAND 型フラッシュ・メモリーなど，先端メモリーの開発に従事。現在は，新型不揮発性メモリーやSRAM，CMOS イメージ・センサーの研究も指揮する。これまでにメモリー技術に関して発表した論文数は350，取得特許数は95に及ぶ。（写真：柳生貴也）

NAND型フラッシュ・メモリーの微細化はどの世代まで継続できると考えますか。40～30nm以降は技術障壁が高いと指摘されています。

　新技術を絶えず導入していくことで，原理的には20nm世代まで継続できると考えています。ただし，多結晶Siに電荷を蓄積する浮遊ゲート型は，次の三つの要因から40～35nm世代で限界を迎える可能性があります。隣接するセルの浮遊ゲート間の容量結合の増大，浮遊ゲートと制御ゲートの容量結合の減少，そして蓄積する電荷数の減少です。

　この世代を浮遊ゲート型で乗り切ることが，われわれを含めたフラッシュ各社の第1の開発課題といえます。浮遊ゲートの形状をU字型にする，層間絶縁膜に高誘電率（high-k）材料を使うといった，材料および構造の改良が必要です。40～35nm世代に向けて，浮遊ゲート型の代替技術の開発も進めています。SiN膜に電荷を蓄積する窒化膜トラップ型を有力候補としていますね。