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存在感増す次世代パワー半導体


省エネの切り札として期待される次世代パワー半導体材料のSiCとGaN。両材料を用いたパワー素子の利用環境が整いつつある。既にSiC製ダイオードは、鉄道向けモータ用インバータ装置や、家庭用のエアコンなどへ採用され始めている。SiC製MOSFETもついに製品化された。一方GaN系パワー素子は、製品化が徐々に始まっている。本連載では、次世代パワー半導体の技術動向と共に、2011年秋以降に日経エレクトロニクスで掲載した関連記事を紹介する。

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