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GaN系パワー素子,いざ次世代の本命へ

根津 禎=日経エレクトロニクス
2011/10/21 00:00
出典:日経エレクトロニクス、2009年7月27日号 、 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
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Siに続く次世代のパワー半導体として期待を集めるGaN系パワー素子の研究開発が今、急ピッチで進んでいる。複数の企業が2011年後半から2012年にかけて、GaN系パワー素子の出荷を始める予定だ。本連載ではGaN系パワー素子の関連記事を、2009年以降に『日経エレクトロニクス』で掲載されたものからピックアップして紹介する。


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