微細化の先陣を切るのはIntel社や米IBM Corp.で，ファウンドリー企業はそれを追走する─。これまで不変だったこの構図が変わりそうだ。論理LSIの微細化時期について，Intel社とTSMCを比べてみよう（図8）。90/65/45～40nm世代では，いずれもIntel社が先陣を切り，TSMCが約1年遅れて量産を開始した。

図8　論理LSIの微細化で猛追するTSMC
Intel社とAMD社，TSMCについて，近年の微細加工技術の導入時期を比較した。
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　こうした関係に変化が生じるのが，32～28nm世代である。Intel社は32nm世代のマイクロプロセサの量産を2009年第4四半期に開始している。一方，TSMCは28nm世代の論理LSIの量産を2010年第2四半期から手掛ける。相変わらずIntel社が先行したものの，差を約半年に詰めることになる。しかも，Intel社の32nm世代に対して，TSMCは28nm世代と，1/2世代ほど微細化を進めている。

　続く22～20nm世代では，TSMCが量産計画の詳細を，Intel社に先んじて明らかにした。TSMCは2010年4月，22nm世代を飛ばして20nm世代の論理LSIの製造を2012年第3四半期に始める計画を打ち出した。これは単なる目標ではない。20nm世代で利用する具体的なトランジスタやプロセス，露光技術も公表している（pp.38─51の第2部「微細化はまだまだ続く，五つの指標で3社を比較」参照）注1）。

注1） Intel社は，ムーアの法則に基づき，製造技術の微細化を2年置きに1世代ずつ進める方針を明らかにしている。順調に開発が進めば，2011年第4四半期には22nm世代のマイクロプロセサの量産を始めることになるだろう。ただし，現時点で22nm製品の具体的な量産計画や，その世代の量産に適用する製造技術の詳細は明らかにしていない。

　技術力におけるファウンドリー企業の台頭は，製造技術の微細化にとどまらない。例えば，ソニーが研究開発で先行していた裏面照射（BSI）型CMOSセンサ（図9）。撮像素子業界では，「他社は当分の間，追い付けない」とみる向きが多かった技術である。

図9　BSI型CMOSセンサの製造でも急速にキャッチアップ
OmniVision社はCMOSセンサの製造をTSMCに委託している。ファウンドリー企業による製造が難し いとされていたBSI型CMOSセンサ（a）についても，TSMCの技術力が急速に上がっているようだ。 OmniVision社のBSI型CMOSセンサは，感度が従来型（b）よりも50％以上優れるという。
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　しかし，実際には，TSMCに生産を委託する米OmniVision Technologies, Inc.が，ソニーに続いて量産出荷してみせた。デジタル・カメラ業界のある幹部は「BSI型CMOSセンサの量産については，TSMCがすごいと見るべきである。ソニーがIDMの強みを生かして確立したSiの加工技術と同等の技術を，量産レベルで有していることを証明したからだ。このBSI型CMOSセンサは，現時点でコンパクト機に使える水準にある。TSMCの技術力を考慮すると，遠くない将来，一眼レフ機にも使えるようになるだろう」と語る。

戦略的なパートナーに

　巨大な生産能力と同時に，最先端の技術力も手に入れつつあるファウンドリー企業。機器メーカーや半導体メーカーは，ファウンドリー企業とどう付き合っていけばよいのか。