チャージ・ポンプがかかえる二つの問題のうち組み伏せやすかったのは，逆電流の発生である。電荷転送用MOSFETとポンプアップ・ドライバを駆動するクロック信号を分離し，電荷転送用MOSFETを確実に切ってからポンプアップ・ドライバをオンにするようにした。こうすれば原理上，逆電流は流れない。
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開発したチャージ・ポンプ回路の昇圧手順
四つのサイクルを繰り返すことで昇圧する。まず，すべての電荷転送用
MOSFETをオフにする（a）。次に，第1/3/5段のMOSFET（M1，M3，M5）のみオンにする（b）。次にすべての
MOSFETを同時にオフにする（c）。そして第2/4段のMOSFETのみオンにする（d）。ここでSはレベル・シフト回
路。供給するクロックは，ポンプアップ・ドライバを駆動するCLK，CLKBと，電荷転送用MOSFETを駆動する
CLK’，CLKB’の4種類がある（e）。
高耐圧型MOSFETを利用せず
問題は高耐圧型MOSFETのインピーダンスである。名野はこの課題に，斬新な発想で切り込んだ。そもそも高耐圧型MOSFETを使わなければいいと考えたのである。
それまで高耐圧型MOSFETの利用はチャージ・ポンプに不可欠と見なされていた。しかしそれは，微小な電流しか扱わない用途を前提にした常識なのではないか。はなから大電流を流すことを考えていた名野にとって，高耐圧型MOSFETの存在は目の上のたんこぶでしかなかった。ならば，回路を工夫して耐圧が低いMOSFETだけでチャージ・ポンプを構成する方法を考えよう。
名野がたどり着いた解決策は，電荷転送用MOSFETの基板の電位をソースやドレインと同電位にする方法だった。通常のチャージ・ポンプでは，電荷転送用MOSFETの基板は接地された状態にある。この結果，出力側のMOSFETでは基板とゲート，ソース，ドレインの間の電位差が大きくなり，高耐圧にする必要があった。
