• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスFPGAやメモリ,さらにSSD,3次元化に沸くLSI開発 > 第2回:セルベースLSIへの移行が容易

FPGAやメモリ,さらにSSD,3次元化に沸くLSI開発

第2回:セルベースLSIへの移行が容易

  • 大石 基之=日経エレクトロニクス
  • 2011/06/17 00:00
  • 1/1ページ
今回のVLSI Symposiaでは,アモルファスSi TFT技術に基づく26MビットSRAMを積んだチップを試作した(図3)。試作チップでは下地層を90nm世代のCMOS技術で製造したが,「40nm世代に微細化することが可能との見通しを得ている」(東芝)という。
【技術者塾】(5/26開催)
シミュレーション要らずの熱設計・熱対策

~熱を電気回路に見立てて解析、演習で応用力アップ~


本講演を受講すると、シミュレーションに頼らない実践的な熱対策・熱設計ができるようになります。演習を通して実際に熱を解析し、熱設計への理解を深められます。現場で応用できる熱解析ツールを自分で作成できるようになります。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月26日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ