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FPGAやメモリ,さらにSSD,3次元化に沸くLSI開発

第2回:セルベースLSIへの移行が容易

  • 大石 基之=日経エレクトロニクス
  • 2011/06/17 00:00
  • 1/1ページ

出典:日経エレクトロニクス、2010年7月26日号、pp.56~59(記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)

今回のVLSI Symposiaでは,アモルファスSi TFT技術に基づく26MビットSRAMを積んだチップを試作した(図3)。試作チップでは下地層を90nm世代のCMOS技術で製造したが,「40nm世代に微細化することが可能との見通しを得ている」(東芝)という。

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