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Siフォトニクス,2010年代半ばが射程圏に

大下 淳一=日経マイクロデバイス
2009/11/16 00:00
出典:日経マイクロデバイス、2009年6月号 、pp.23-28 (記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)
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 「Siフォトニクスが,Tビット/秒のコンピューティング技術のカギを握る」(米Intel Corp. Fellow,Corporate Technology Group Director,Photonics Technology LabのMario J. Paniccia氏)。受発光デバイスや光導波路をSi基板に集積する“Siフォトニクス”の開発が,大きく動き始めた。Si基板に作製したデバイスの性能が,ここ2~3年間で飛躍的に高まっている(図1)。光配線に求められる数十Gビット/秒のデータ伝送速度への対応が見えてきた。

 早ければ2010年代半ばから,ボード間やチップ間を結ぶ光配線へのSiフォトニクスの適用が始まる。2010年代後半には,LSIチップの内部へ光配線を導入する動きが始まりそうだ。

Siフォトニクス
図1 現実味を帯びてきた“Siフォトニクス”
米Intel Corp.が開発中のSi変調器が対応するデータ伝送速度を示した。同社が目指すTビット/秒が視野に入ってきた。日経マイクロデバイスが作成。

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