• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > Siフォトニクス,2010年代半ばが射程圏に

Siフォトニクス,2010年代半ばが射程圏に

 「Siフォトニクスが,Tビット/秒のコンピューティング技術のカギを握る」(米Intel Corp. Fellow,Corporate Technology Group Director,Photonics Technology LabのMario J. Paniccia氏)。受発光デバイスや光導波路をSi基板に集積する“Siフォトニクス”の開発が,大きく動き始めた。Si基板に作製したデバイスの性能が,ここ2~3年間で飛躍的に高まっている(図1)。光配線に求められる数十Gビット/秒のデータ伝送速度への対応が見えてきた。

 早ければ2010年代半ばから,ボード間やチップ間を結ぶ光配線へのSiフォトニクスの適用が始まる。2010年代後半には,LSIチップの内部へ光配線を導入する動きが始まりそうだ。

Siフォトニクス
図1 現実味を帯びてきた“Siフォトニクス”
米Intel Corp.が開発中のSi変調器が対応するデータ伝送速度を示した。同社が目指すTビット/秒が視野に入ってきた。日経マイクロデバイスが作成。

【技術者塾】(5/17開催)
キャパシタ応用を広げるための基礎と活用のための周辺技術


省エネルギー社会に則した機器を、キャパシタを上手に活用しながら開発するために、その原理と特長、信頼性、長寿命化、高密度化、高出力化などのセル開発の進歩とキャパシタの持つ課題と対応技術まで、実践活用に役立つ応用事例を示しながら学んでいきます。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月17日
会場 : BIZ新宿
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ