高輝度青色発光ダイオード開発物語の最終回。第1回から第3回では，開発者の中村修二氏が入社してから初めて青色発光ダイオードが光るまでを追った。今回はいよいよ大団円。高輝度発光ダイオードが完成する。最初のGaN発光ダイオードは光ったが，暗かった。中村氏はpn接合型からダブルヘテロ構造への転換を決意する。ここからは速い。開発はトントン拍子に進み，ダブルヘテロ構造に不純物を入れて発光中心を設け，1cdの輝度を実現，製品化にこぎつけた。信号機など，応用機器も続々現れ始めた。
1992年4月，米国から帰国した中村氏は，ダブルヘテロ構造の実現を目指し，InGaN膜の成長に没頭する（表1）。ダブルヘテロ構造をGaN発光ダイオードに導入すれば，輝度は格段に向上するはずだ注1）。
注1）この当時完成していたのは，pn接合型の発光ダイオードである。pn接合型は，p型とn型の半導体を接合させただけの，単純な構造になっている。pn接合に順バイアスを加えて電子を注入し，ホールに再接合するとき光が発生する。一方のダブルヘテロ構造の発光ダイオードは，発光層よりエネルギ・ギャップが大きい半導体層で発光層を挟み込んでいる。発光層と周囲の半導体層との接合が，両側ともヘテロ接合（異材料間の接合）になる。pn接合に順バイアスを加えるとき，注入されるキャリアはすべてバンドからバンドへ遷移（再接合）するわけではない。キャリアの大部分は，電極に流れ出してしまい，ムダになる。ダブルヘテロ型の場合，発光層のエネルギ・ギャップは周囲よりも小さくなっている。このため発光層にキャリアが閉じこめられ，再接合の確率が高くなる。このため，ダブルヘテロ構造にすればpn接合型より輝度を高くできる。
同じころから，中村氏の研究グループに資金と人材が投入され始めた。社長の，製品化に対する意気込みの現れだった。GaN発光ダイオードの研究には，すでに億単位の額を投資してきた。日亜化学工業にしてみれば，清水の舞台から飛びおりるほどの決断である。それが，やっとの思いで光るところまでこぎつけた。それを一日も早く売れるものにしたい。投資を決めたものとして，社長の思いは至極当然なものだろう。
しかしその思いが，中村氏の行く手をさえぎる大きな障害となった。社長は，少々暗くてもいいから，pn接合型の発光ダイオードを製品化したいとあせる。一方で中村氏は，pn接合型に見切りをつけている。研究を次のステップに進めたい。短期間で成果を出す自信はある。
