高輝度青色発光ダイオード開発物語の第3回。第1回と第2回では,開発者の中村修二氏が入社してから,青色発光ダイオードの研究で最初の成果を出すまでを追った。今回は,開発が軌道に乗り始めてダイオードが光るまで。発光層となるGaN膜ができたころから開発は順調に進み始める。平滑なGaN膜の成長,続いてp型GaN膜の作製,そしてpn接合型の発光ダイオードの試作にこぎつけた。波に乗って半導体レーザもねらえるダブルヘテロ構造を標的にする。しかしそのとき,意外な障壁が行く手に現れた。
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