高輝度青色発光ダイオード開発物語の第3回。第1回と第2回では，開発者の中村修二氏が入社してから，青色発光ダイオードの研究で最初の成果を出すまでを追った。今回は，開発が軌道に乗り始めてダイオードが光るまで。発光層となるGaN膜ができたころから開発は順調に進み始める。平滑なGaN膜の成長，続いてp型GaN膜の作製，そしてpn接合型の発光ダイオードの試作にこぎつけた。波に乗って半導体レーザもねらえるダブルヘテロ構造を標的にする。しかしそのとき，意外な障壁が行く手に現れた。
高品位のGaN膜が突如できなくなって2カ月が経つ。装置の改造，特にガスの吹き出し方法の微調整が続く。しかし，天は見放したわけではなかった。1990年も暮れるころ，安定にGaN膜を成長させる条件が，手探りながらわかってくる（図1）。
図1 GaN膜の成長を再開
1990年9月以来約2カ月間，膜が成長できない状況が続いた。ガスの吹き出し角度などが微妙にずれると，とたんに膜が成長できなくなる。2カ月間の試行錯誤でやっと条件がつかめ始めた。1990年12月25日付の実験ノートから。
最初に高品位GaN膜ができたのは，ほとんど奇跡だった。ほんの少しでも膜の成長条件が変わると，まるで膜ができなくなってしまう。このような厳しい条件下で偶然できた膜といえる。それでもできた。できたことが励みとなって，安定な膜成長条件を探り当てることに成功した。流れは中村氏に向いてきた。
