NANDフラッシュ・メモリの大容量化は64Gビット品までは従来通りのペースで進みそうだ。64Gビットを超える容量拡大は現行の技術の延長では難しい。メモリ・セルの3次元積層など,寸法縮小に頼らない新技術の導入が不可欠である。大容量化とともに,セル当たりの書き換え可能回数は今後数千回に減る可能性がある。コントローラでの書き換え作業の均等化が,問題解決のカギを握る。
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