米Cree社は、原子1層程度のバリウム(Ba)をSiC MOS界面に導入することで、キャリア移動度を飛躍的に高める技術を開発した。SiC MOS界面にBaのようなII族元素を導入する方法は業界初である。同社はこの成果を、SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」(2014年9月21~25日、フランス・グルノーブル)で発表した。
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