SiC(シリコンカーバイド)やその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」がフランス・グルノーブルで開幕した(期間は2014年9月21~25日)。同会議は、1996年から2年ごとに開催されており、今年は10回目となる。今回332件の発表がある。その内訳は、「バルク結晶成長」で41件、「エピタキシャル成長」で47件、「デバイスプロセス技術」で57件、「デバイスおよび回路応用」で74件、「理論・評価技術」で81件、窒化物半導体やグラフェンなどの関連材料で32件である。プロセス技術やデバイス、回路応用の発表件数が増えており、SiCの応用研究がより活発化していることがうかがえる。
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