ECSCRM 2014

SiCの学会「ECSCRM 2014」が閉幕、日本からの参加者が多い

　SiC（シリコンカーバイド）やその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」（2014年9月21～25日、フランス・グルノーブル）が閉幕した。参加者は570名以上。地域別に見ると、日本の参加者が多く、156名だった。

6インチ化が進むSiC基板、新しい製造法の検討も

転位の少ない６インチ品や高温CVD法のバルクも登場

　SiCパワー素子の製造に不可欠なSiC基板。SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」（2014年9月21～25日、フランス・グルノーブル）では、SiC基板の大口径化や新しい製造法に関する研究成果がいくつか発表された。

SiC MOS界面の移動度を約8倍に、Creeが発表

バリウムを導入

　米Cree社は、原子１層程度のバリウム(Ba)をSiC MOS界面に導入することで、キャリア移動度を飛躍的に高める技術を開発した。SiC MOS界面にBaのようなII族元素を導入する方法は業界初である。同社はこの成果を、SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」（2014年9月21…

27kVと高耐圧のSiC IGBT、Creeが開発

京大は耐圧設計パラメーターに関する成果を発表

　電力ネットワークの高度化や低損失化のために、10kVを超える高耐圧のパワー素子が求められている。SiCの分野では、超高耐圧素子に適したバイポーラ素子の研究が活発化している。SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」（2014年9月21～25日、フランス・グルノーブル）でも、10kV…

SiCバイポーラパワー素子作製に必要なp型SiC基板の研究が進む

SiCやその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」（2014年9月21～25日、フランス・グルノーブル）では、バイポーラ素子の作製に必要なp型SiCのバルク結晶成長（基板）に関する発表が複数あった。SiCのショットキー・バリア・ダイオード（SBD）やパワーMOSFETといったユニポーラ素子で…

SiCの学会「ECSCRM 2014」が開幕、回路応用などの発表が増加

アジア地域の発表も増加傾向

　SiC（シリコンカーバイド）やその関連材料に関する学会「ECSCRM 2014」がフランス・グルノーブルで開幕した（期間は2014年9月21～25日）。同会議は、1996年から2年ごとに開催されており、今年は10回目となる。今回332件の発表がある。その内訳は、「バルク結晶成長」で41件、「エピタ…