半導体製造 プロセス技術や工場の動向を知るための
 

次世代パワー半導体のインパクト

~SiCは次世代から現世代へ~

2014/07/04 00:00
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 省エネの切り札として注目を集める「パワーデバイス」の中でも、大幅な効率向上や小型化を見込める次世代材料として、SiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム、ガリウムナイドライド)に大きな期待が寄せられています。中でも、利用環境が急速に整ってきているのがSiCデバイスです。ダイオードやMOSFETの他、両素子を搭載した「フルSiC」のパワー・モジュールも製品化されています。このうちダイオードは、エアコンや音響機器、産業機器、太陽光発電向けパワーコンディショナー、鉄道車両向けインバーターなどに次々と採用されました。自動車分野では、SiCを利用した車載充電器が登場。将来的にはハイブリッド自動車や電気自動車のモーターを駆動するインバーターにも採用される可能性があります。

 そこで、7月4日開催のNE先端テクノロジーフォーラム「次世代パワー半導体のインパクト」では、SiCパワーデバイスの最新動向と共に、同デバイスがパワーエレクトロニクス機器にもたらすインパクトについて紹介します。

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これまでの電源設計の教科書にはない新しい見地から基礎理論および実践例について解説するとともに、「系の安定度」の問題点と解決手法についても解説します。今年3月に発刊した「スイッチング電源制御設計の基礎」(日経BP社刊)をベースに最新の内容を解説いたします。詳細はこちら

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【会場】:化学会館(東京・御茶ノ水)
【主催】:日経エレクトロニクス

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