「2014 Symposia on VLSI Technology and Circuits」(2014年6月9~13日、米国ホノルル)では、配線技術をテーマとするフォーカス・セッション「Interconnect」(Session 16)が開催された。Cu配線は1990年代後半にLSIに導入されたが、一般に配線スケーリングは理想的(Cuの抵抗率が一定で、バリアメタル厚はスケーリングされる)であったとしても、単位グリッド当たりの配線抵抗は世代ごとに1.4倍に増加する。加えて、近年はCu内電子の平均自由工程(約40nm)よりも配線幅が小さくなってきていることから、界面での電子散乱が増加してCuの抵抗率自体が増加する。そのため、世代が進むたびに配線抵抗は加速度的に増加している。
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