トランジスタの寸法縮小による性能向上（スケーリング）の継続が技術的にも経済的にも難しさを増している中で、それ以外の方法による性能向上が研究されている。例えば、チャネル材料をSiに比べてキャリア移動度の高いIII-V族化合物半導体やGeに変え、同じトランジスタ寸法で性能向上を図る手法などがそれに相当する。また、従来のCMOSに新たな機能を付加することで性能向上を図るという方向性の研究も行われている。今回のSymposium on VLSI Technologyでは、これらの流れを実現するためのプロセス技術の発表が相次いだ。
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