富士電機は、産業用IGBTモジュールの新製品を「PCIM Europe 2014」（2014年5月、ドイツ・ニュルンベルク開催）で発表した（図1）。特徴は、同社従来品（Vシリーズ）に比べて、信頼性が高いことと小さいことである。具体的には、耐圧1200V級のモジュールで、50℃でのパワーサイクル耐量が1×108（10の8乗）サイクルと、同耐圧の同社従来品に比べて、20倍に高めた。
新型モジュールの外形寸法は、横60mm×奥行き22mm×高さ13mm。同社従来品に比べて体積はわずか18％ほど、横の長さと奥行きの積である床面積も従来品の42％ほどである。2014年10月にサンプル出荷を開始し、2015年6月からの量産を予定する。エレベーターや汎用インバーター装置、パワーコンディショナー、UPSなどに向ける。
IGBTチップとモジュール構造に工夫を施し、熱抵抗を小さくしたことで、信頼性の向上と小型化を実現した。従来品では、IGBTモジュールには、IGBTチップの他、還流用のダイオードチップを実装していた。今回の新型モジュールでは、IGBTとダイオードを1チップ化した「RC-IGBT」を採用した。この1チップ化によって、IGBTとダイオードをぞれぞれ別に準備するよりも、パワー素子のチップ面積を約26％削減できた（図2）。
1チップ化によって、放熱性が向上し、従来と同じ電流を流した場合、チップ温度を低くできるという。放熱性が高いのは、IGBTチップ単体やダイオードチップ単体と比べてRC-IGBTの方が面積が大きいからである。
なお、RC-IGBTを実用化するのは、今回のモジュール製品が最初だという。
新型モジュールでは、部材を省くなどして、熱抵抗を約60％小さくし、小型化を実現した。パワーモジュールは、一般に、上からIGBTチップやダイオードチップといったパワー素子、DCB基板と呼ばれる絶縁基板、金属製のベースプレートの順で構成されている。パワー素子とDCB基板の間、DCB基板とベースプレートの間にははんだなどの接合材料がある。DCB基板は、セラミックの上下をCu（銅）板で挟んだ構造を取る。
これに対して新型モジュールでは、金属製のベースプレートを省いて熱抵抗を小さくした。従来品では、Cuのベースプレートを利用していた。ベースプレートの代わりに、セラミック基板の上下のCu板を厚くした（図3）。
Cu板を厚くすると、その分熱応力が大きくなる。その対策として、例えば、モジュールの封止材に新開発したエポキシ樹脂を適用した。詳細を明かさないが、ある材料メーカーと富士電機が共同で開発したものだという。
信頼性を高めるために、パワー素子上面と、パワーモジュールの外部端子をつなぐ実装方法も変えた。従来はワイヤーボンディングだったが、新製品ではCuピンを利用する。
