パナソニックは、パワー素子やパワーエレクトロニクス（パワエレ）機器分野の世界最大級のイベント「PCIM Europe 2014」に初めて出展した。さらに、併設のカンファレスにも登壇した。同社がPCIMでアピールしたのが、GaNやSiCを利用したパワー素子で構成した電源回路やモジュール品である。既存のSiパワー素子を利用した製品よりも性能が優れることを訴求する。
今回は、GaNで2つ、SiCで1つの計3つの成果を主に発表した（図1、2）。それぞれについて、ブースで関連展示を実施するとともに、カンファレンスで特性や実現技術などについて解説した。GaNについては、耐圧600V級のGaNパワートランジスタを利用したPFC回路と、12Vを1.2Vに降圧するPOL（point of load）コンバーターを開発した。
PFC回路の特徴は、小型かつ高速スイッチングが可能なこと。PFCで一般的な整流回路を省いた「ブリッジレス」と呼ばれるタイプのもので、整流回路が不要な分、回路を小型化できる。Siパワー素子でもブリッジレスPFCはある。例えば、Siのsuper junction（SJ）型MOSFETを利用したデュアルブースト型のブリッジレスPFCである。パナソニックによれば、デュアルブースト型では、高価なSiCのショットキー・バリアー・ダイオード（SBD）が必要、大型のリアクトルが2つ必要、といった課題がある。これに対して、パナソニックのGaNパワー素子を利用したトーテムポール型のブリッジレスPFCであれば、SiC SBDが不要で、インダクターは1個で済むという。
GaNパワー素子を利用したトーテムポール型のブリッジレスPFC中でも、高速スイッチングが可能で、かつより大きな電流を出力できる点を特徴にうたう。具体的には、ターンオン時のスイッチング速度で、170V/nsを実現した。これは、高速なスイッチングが可能となる、面実装型のSiのSJ型MOSFETを利用した場合よりも、約1.7倍速いとする。
