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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2014 > 128Gビット3D NANDが登場、SRAMは一気に14nm FinFETへ飛躍

ISSCC 2014

128Gビット3D NANDが登場、SRAMは一気に14nm FinFETへ飛躍

  • 川澄 篤=東芝
  • 2014/02/17 17:07
  • 1/1ページ
メモリー分野では、昨年以上に微細化が加速された。2013年は主だったメモリーのプロセスノードの”記録更新”はSRAMだけであった。これに対して、今年はNAND、DRAM、SRAMでそれぞれ記録が更新された。

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