• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2014 > Samsungの128Gビット3次元NAND、エンタープライズSSD向けに3万5000回の書き換えを実現

ISSCC 2014

Samsungの128Gビット3次元NAND、エンタープライズSSD向けに3万5000回の書き換えを実現

  • 木村 雅秀=日経BP半導体リサーチ
  • 2014/02/14 06:57
  • 1/1ページ
 韓国Samsung Electronics社は3次元NANDフラッシュメモリー「Vertical NAND(V-NAND)」について「International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)2014」(2014年2月9~13日、米国サンフランシスコ)で発表した[講演番号19.5]。メモリーセル層を24層積み重ねたMLC品で、1チップで128Gビットの容量を持つ。
【技術者塾】
「1日でマスター、実践的アナログ回路設計」(2016年8月30日(木))


コツを理解すれば、アナログ回路設計は決して難しくはありません。本講義ではオペアンプ回路設計の基本からはじめて、受動部品とアナログスイッチや基準電圧などの周辺回路部品について学びます。アナログ回路設計(使いこなし技術)のコツや勘所を実践的に、かつ分かりやすく解説いたします。。詳細は、こちら
日時:2016年8月30日(火)10:00~17:00
会場:エッサム神田ホール(東京・神田)
主催:日経エレクトロニクス

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓