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HOMEエレクトロニクス電子デバイスISSCC 2014 > Samsungの128Gビット3次元NAND、エンタープライズSSD向けに3万5000回の書き換えを実現

ISSCC 2014

Samsungの128Gビット3次元NAND、エンタープライズSSD向けに3万5000回の書き換えを実現

  • 木村 雅秀=日経BP半導体リサーチ
  • 2014/02/14 06:57
  • 1/1ページ
 韓国Samsung Electronics社は3次元NANDフラッシュメモリー「Vertical NAND(V-NAND)」について「International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)2014」(2014年2月9~13日、米国サンフランシスコ)で発表した[講演番号19.5]。メモリーセル層を24層積み重ねたMLC品で、1チップで128Gビットの容量を持つ。

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