• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOME電子デバイスIEDM 2013 > IEDMが明日開幕、IBMのグラフェンICなどがLate Newsに登場

IEDM 2013

IEDMが明日開幕、IBMのグラフェンICなどがLate Newsに登場

  • 大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
  • 2013/12/09 11:19
  • 1/2ページ
会場のWashington Hilton
会場のWashington Hilton
[画像のクリックで拡大表示]
ショート・コースの様子
ショート・コースの様子
[画像のクリックで拡大表示]

 半導体デバイス技術に関する世界最大規模の国際会議「International Electron Devices Meeting(IEDM)2013」(2013年12月9~11日、米国ワシントンD.C.)が米国時間の明日、2013年12月9日に開幕する。登録者数は会期前日の12月8日午前時点で1260人。会期を通じて1400~1500人の参加を見込んでいる。前回ワシントンD.C.で開催された「IEDM 2011」の参加者数は1465人で、これとほぼ同等になる見通しだ。

 開幕に先立ち、12月8日には二つのショート・コースが開催された。一つは、10~7nm世代のCMOS技術を議論する「Challenges of 10nm and 7nm CMOS Technologies」で、登録者数は330人。伊仏STMicroelectronics社や米GLOBALFOUNDRIES社、ベルギーIMECなどから講師が登壇した。もう一つは、トンネルFETやスピントロ二クスなどの“Beyond CMOS”技術を議論する「Beyond CMOS: Emerging Materials and Devices」。登録者数は232人で、米Intel社や米IBM社などの技術者が講師を務めた。

 会場で配布されたプログラムでは、恒例の「Late News」の内容が明らかにされた。今回は次の3件である。IBM社は多段構成の高速グラフェン・レシーバIC技術を披露する(講演番号19.9)。イタリアPolitecnico di Milano and IU.NETと米Micron Technology社などのグループは、相変化メモリ(PCM)アレイにおけるデータ保持特性の統計的解析の結果を報告する(同21.7)。シンガポールNational University of Singaporeと台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)のグループは、10nm以降の技術世代に向けた高性能Ge CMOS技術について発表する(同26.7)。

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓