超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）と筑波大学は、新しい膜構造と動作原理を採り入れた相変化メモリ技術を共同開発した（講演番号30.5）。従来の相変化メモリに比べて書き込み時間と書き込み電力をいずれも1/10以下に低減できる上に、書き換え可能回数を1億（108）回以上に高められるという。「“データ爆発”によりデータセンター向けSSDに新しいメモリ技術が求められる、2018～2020年の実用化を目指す」（LEAP 相変化デバイスグループの高浦則克氏）。
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