米ワシントンDCで2013年12月9～11日に開催の電子デバイスの技術者ミーティング「2013 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2013）」をレポートする。
連載
IEDM 2013
2013年12月9～11日、米ワシントンDCで開催
目次
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G450C、450mmウエハー対応の製造装置の初期評価結果を発表
米Global 450mm Consortium（G450C）は、米College of Nanoscale Science and Engineering（CNSE）の開発拠点で進めている450mmウエハー対応の製造装置の初期評価結果を紹介した（講演番号13.6）。登壇者は、G450CのGene…
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東芝、STT-MRAMだけで演算と記憶を行うコンピューティング・アーキテクチャを提案
東芝はSTT-MRAMだけで演算と記憶を行う新しいコンピューティング・アーキテクチャを「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、米国ワシントンD.C.）で発表した（講演番号25.4）。タイトルは「Variabl…
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TSMCがリスク量産間近の16nm世代プロセス技術を発表、FinFETを導入
台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）は、2013年末までに少量生産（リスク量産）を始める16nm世代のプロセス技術を発表した（講演番号9.1）。モバイル機器やコンピューティング機器用のSoC（system on a chip）向け…
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SK Hynix、量産を始めた16nm世代NANDフラッシュ・メモリ技術を披露
韓国SK Hynix社は、“Middle-1X”（M1X）nm世代をうたう多値NANDフラッシュ・メモリ技術を発表した（講演番号3.6）。2013年11月に本格量産を開始した16nm世代技術の詳細を明らかにした形だ。ビット線方向（ワード線間）に加えてワード線方向（ビット線間）にもエアギャップを導入…
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TSMCが300mmガラス・インターポーザを報告、60GHz帯のWiFiシステムへの応用を狙う
台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）は300mmウエハー・サイズの薄型ガラス・インターポーザについて「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、…
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Intel、極低電圧トランジスタの10nm以降への微細化指針示す
米Intel社は、0.4V未満といった非常に低い電圧で駆動できるトランジスタであるトンネルFETを、ゲート長が9nm以下の技術世代へ微細化するための指針を示した（講演番号4.3）。ゲート長9nm前後までは、トンネルFETにナノワイヤ構造を組み合わせることで、0.4V未満の電源電圧でSiナノワイヤ・…
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富士通セミコン、ロジック向け低電力トランジスタDDCとフラッシュ・メモリの混載に成功
富士通セミコンダクターは、低消費電力なDDC（Deeply Depleted Channel）トランジスタのロジック回路とフラッシュ・メモリを混載して製造することに成功した。DDCは、米SuVolta社からライセンスを受けて共同で開発した技術である。
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IEDMが開幕、基調講演は「グラフェン」「3DIC」「モバイルSoC」の3件
半導体デバイス技術に関する国際会議「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、米国ワシントンD.C.）が米国時間の2013年12月9日に開幕した。LateNewsを除く投稿論文数は564件であり、前回ワシントンD…
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0.4V駆動LSIに道、LEAPなどがチップ間の性能ばらつきを基板バイアスで半減
超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）と電気通信大学、東京大学生産技術研究所は、0.4V程度の低電圧で駆動できる薄膜BOX構造の完全空乏型SOIトランジスタ（SOTBトランジスタ）において、基板バイアスを印加することでチップ間の性能ばらつきを抑制できることを実証した（講演番号33.2）。
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“融かさない”相変化メモリ、高速・低電力で1億回の書き換えを実証
超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）と筑波大学は、新しい膜構造と動作原理を採り入れた相変化メモリ技術を共同開発した（講演番号30.5）。従来の相変化メモリに比べて書き込み時間と書き込み電力をいずれも1/10以下に低減できる上に、書き換え可能回数を1億（108）回以上に高められるという。「“デー…
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IEDMが明日開幕、IBMのグラフェンICなどがLate Newsに登場
半導体デバイス技術に関する世界最大規模の国際会議「International Electron Devices Meeting（IEDM）2013」（2013年12月9～11日、米国ワシントンD.C.）が米国時間の明日、2013年12月9日に開幕する。登録者数は会期前日の12月8日午前時点で126…
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MTJの多値化やセンサ応用など、磁性デバイス関連でLEAPが3件を発表
超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）は「2013 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）」（2013年12月9～11日、米国Washington, D.C.）において磁性デバイス（MTJ）に関する3件の発表を行う。（a）特性を改善した…