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HOMEエレクトロニクス電子デバイスEmbedded Technology 2013 / EDS Fair 2013 > 富士通セミコン、8~9mm角SONパッケージに収めた耐圧600VのGaNパワー素子を展示

Embedded Technology 2013 / EDS Fair 2013

富士通セミコン、8~9mm角SONパッケージに収めた耐圧600VのGaNパワー素子を展示

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/11/20 22:46
  • 1/1ページ
 富士通セミコンダクターは、開発中のGaNパワー素子製品を、パシフィコ横浜で開催中の「Embedded Technology 2013 / 組込み総合技術展」(2013年11月22日まで)で披露した。8mm角のSON8パッケージと、9mm角のSON10パッケージに封止した耐圧600VのGaNパワー・トランジスタである。同社は既に耐圧600V品を製品化しているが、いずれもTO247パッケージに封止していた。SONパッケージ品は、2014年での製品化を目標にしている。
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