SICC社が展示した2〜4インチのSiCウエハー
SICC社が展示した2〜4インチのSiCウエハー
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SKC社のブース
SKC社のブース
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 SiCやGaNなどの次世代パワー半導体分野で、韓国や中国に代表されるアジア勢が存在感を増している。デバイスやモジュールにとどまらず、部材の領域でもそのトレンドは顕著だ。2013年9月29日~10月4日に開催されたSiCパワー半導体に関する国際学会「ICSCRM 2013」(宮崎県 フェニックス・シーガイア・リゾート)では、ここにきてSiCウエハー事業の拡大に乗り出したアジア企業が展示ブースを構えた。

 中国SICC社は、2014年4月から広く外部提供を開始する直径2~4インチ(50mm~100mm)のSiCベア・ウエハーを出展した。同社は目下、SiCウエハーの品質で「米Cree社や新日鉄住金などに続く3番手グループに入ることを目指している」(日本における販売代理店のオーエステック)。既に「8カ国に顧客が存在する」(SICC社)といい、中国のデバイス・メーカーに加え、日本企業も同社のSiCウエハーの評価を開始しているもようだ。

 SICC社は6インチ(150mm)ウエハーも開発中で「2015年末までに量産化する」(オーエステック)予定。ベア・ウエハー上にエピタキシャル膜を成長させたエピ・ウエハーについても2016年をメドに製品化する考えだ。SICC社によれば、中国では「数多くのデバイス・メーカーがSiCパワー半導体事業に参入しようとしている」という。