SiCパワー半導体関連の国際学会「ICSCRM 2013」(2013年9月29日~10月4日、宮崎県フェニックス・シーガイア・リゾート)の会期2日目に開かれたセッションMo-1A「MOSFET 1」では、トレンチ型MOSFETが議論の焦点となった。トレンチ型MOSFETは高耐圧と低オン抵抗を両立しやすく、現行のDMOSFETに続く第2世代のSiC MOSFETと位置付けられる。同セッションではロームや三菱電機、日産自動車が最新の開発成果を披露した。
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