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HOMEエレクトロニクス電子デバイスICSCRM 2013 > 日産自動車がダイオード内蔵のトレンチ型SiC MOSFETを試作

ICSCRM 2013

日産自動車がダイオード内蔵のトレンチ型SiC MOSFETを試作

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/10/01 00:45
  • 1/1ページ
 日産自動車は、ダイオードを内蔵した耐圧600VのSiC MOSFETを試作し、その特性などについて、SiC関連の国際学会「ICSCRM 2013」で発表した(講演番号:Mo-1A-3)。試作品は、アバランシェ耐性が高いとされる「HJD(ヘテロジャンクション・ダイオード)」を備える。今回の試作品は、「コンタクトを取りやすいなど、作りやすいのが特徴」(日産自動車の研究グループのメンバー)とする。MOSFET部分も、HDJ部分も溝(トレンチ)を設けており、その溝に多結晶Si(ポリシリコン)を埋めている。
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