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【FMS】「3次元NANDは当面ニッチ」とメモリ市場のコンサルタント

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2013/08/28 09:00
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講演するMark Webb氏
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NANDの微細化に関するコスト分析
NANDの微細化に関するコスト分析
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将来技術に関する予測
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 米MKW Ventures社 ConsultantのMark Webb氏は「Flash Memory Summit(FMS) 2013」(2013年8月13~15日、米国カリフォルニア州Santa Clara)のパネル・ディスカッション「Flash Below 20nm - What is coming and When?」に登壇し、20nm世代以降のNANDフラッシュ・メモリのコスト分析を披露した。同氏は、かつて米Intel社でフラッシュ・メモリの製造部門のDirectorを務めた人物である。

 Webb氏はまず、NANDフラッシュ・メモリの微細化限界は技術的な要因ではなく、コストの要因で決まると述べた。具体的には、19~21nm世代への移行に伴うコスト低減率は従来世代比で15~20%小さくなり、16~19nm世代への移行に伴うコスト低減率は従来比で半減するという。そして15nm世代以降の微細化には、ごくわずかなコスト・メリットしかないか、コスト低減を見込めないとした。この結果、NANDフラッシュ・メモリの微細化は、現在量産中の19~21nm世代の後、1~2世代続いた後に終焉を迎えるとみる。

 この状況を打破してコスト低減トレンドを回復する手段になるのが、微細化に頼らない3次元NANDへの移行だという。ただしこれは中長期的な展望であり、2015~2016年の段階では「3次元NANDは高密度が求められるニッチな用途にとどまる」(Webb氏)見通し。3次元NANDの当初のコストが、プレーナ(平面型)NANDを下回ることはないとみるためだ。今後、積層できるメモリ・セルの層数が増え、歩留まりも改善して3次元NANDのコストが大幅に下がれば、2018年ごろにはプレーナNANDの出荷量をしのぐ可能性があるとしている。

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