SSD向けコントローラICを手掛ける台湾Silicon Motion Technology社は「Flash Memory Summit（FMS） 2013」（2013年8月13～15日、米国カリフォルニア州Santa Clara）」の技術セッション「Extending the Performance on 10nm-Class Flash」において、3ビット/セル（triple-level cell：TLC）のNANDフラッシュ・メモリ（以下、NAND）を用いたSSD（TLC-SSD）向けコントローラ技術について講演した。同社が主張したのは、書き換え可能回数が非常に少なくなる1Xnm世代（10nm台）のTLC-NANDでも、コントローラ技術を駆使すれば民生用途のSSDには十分に使えるということである。同じストレージ容量で比べた場合、2ビット/セル（multi-level cell：MLC）のNAND（MLC-NAND）とは性能面でそれほど大きな違いはなく、HDDの性能をはるかに凌駕できるという。
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