SSD向けコントローラICを手掛ける台湾Silicon Motion Technology社は「Flash Memory Summit（FMS） 2013」（2013年8月13～15日、米国カリフォルニア州Santa Clara）」の技術セッション「Extending the Performance on 10nm-Class Flash」において、3ビット/セル（triple-level cell：TLC）のNANDフラッシュ・メモリ（以下、NAND）を用いたSSD（TLC-SSD）向けコントローラ技術について講演した。同社が主張したのは、書き換え可能回数が非常に少なくなる1Xnm世代（10nm台）のTLC-NANDでも、コントローラ技術を駆使すれば民生用途のSSDには十分に使えるということである。同じストレージ容量で比べた場合、2ビット/セル（multi-level cell：MLC）のNAND（MLC-NAND）とは性能面でそれほど大きな違いはなく、HDDの性能をはるかに凌駕できるという。
登壇したStanley Huang氏（Silicon Motion社 Product Marketing Manager）はまず、（Samsung Electronics社とみられる）韓国メーカー製の128GバイトのTLC-SSDと、Silicon Motion社のコントローラICを組み合わせた場合の動作性能を、MLC-NANDを用いたSSD（MLC-SSD）およびHDDと比べた結果を披露した。
それによると、TLC-SSDとMLC-SSDの読み出し速度は同等であり、HDDと比べると4倍速い。書き込み速度では、TLC-SSDではMLC-SSDの1/2に落ちるものの、HDDと比べると120倍速いという。トータルの処理性能の指標となる「PC Mark HDD Score」では、TLC-SSDはMLC-SSDの70％にまで迫り、HDDと比べると16倍高いとしている。
ただし、微細化が進むにつれて、TLC-NANDの書き換え可能回数は極めて少なくなっていく。Huang氏によれば、30nm世代のTLC-NANDの書き換え可能回数が約6000回であるのに対し、25nm世代では3000回、20nm世代では1000回に減り、15nm世代では500回未満まで減る見通しという。
