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HOME電子デバイスFlash Memory Summit 2013 > 【FMS】「PCIeのレイテンシでは不十分」、DIMMスロットに挿して使えるNANDストレージが登場

Flash Memory Summit 2013

【FMS】「PCIeのレイテンシでは不十分」、DIMMスロットに挿して使えるNANDストレージが登場

  • 大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
  • 2013/08/23 06:00
  • 1/2ページ
展示した「ULLtraDIMM」
展示した「ULLtraDIMM」
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通常のDIMMスロットに挿して使える
通常のDIMMスロットに挿して使える
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プロセサとの距離を縮める
プロセサとの距離を縮める
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ストレージ容量を増やしてもレイテンシは劣化しない
ストレージ容量を増やしてもレイテンシは劣化しない
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 米SMART Storage Systems社は、NANDフラッシュ・メモリ(以下、NAND)ベースのストレージにDDR3インタフェースを採用したモジュール「ULLtraDIMM」を「Flash Memory Summit(FMS) 2013」(2013年8月13~15日、米国カリフォルニア州Santa Clara)の展示会場に出展した。サーバー機などにおいて、通常のDIMM(dual in-line memory module)スロットに挿して使えることが大きな特徴だ。カナダDiablo Technologies社との共同開発品である。19nm世代の2ビット/セル(MLC)のNANDを用いた200Gバイト/400Gバイト品のサンプル出荷を近く始め、2014年1~3月から量産する。

 最近ではPCI Express(PCIe)インタフェースを備える高速のNANDストレージが浸透しつつある。SMART Storage Systems社はプロセサとストレージの間の距離をさらに縮めることを狙い、DDR3インタフェースと、DIMM互換のフォームファクタを採用した。この他、DDR3インタフェースをNANDに接続可能なSATAインタフェースに変換するためのチップを搭載している。書き込みのレイテンシは5μs未満と、PCIeインタフェースを採用した場合の数分の一。このレイテンシは、DIMMスロットに複数のULLtraDIMMを挿してストレージ容量を拡張した場合にも一定という。

 ランダム書き込み性能は65KIOPS、ランダム読み出し性能は150KIOPS。1日にストレージ領域全体を10回書き換えることができる。ストレージ容量当たりの価格は「SATAインタフェースのSSDよりは高いが、PCIeインタフェースのSSDよりも安い」(SMART Storage Systems社)とする。

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