ソニーの講演の様子
[画像のクリックで拡大表示]
ReRAMのポテンシャルを強調
[画像のクリックで拡大表示]
ストレージ・クラス・メモリを狙う
[画像のクリックで拡大表示]
ECC技術が重要に
[画像のクリックで拡大表示]
ソニーは米Micron Technology社と共同開発を進めているReRAM（抵抗変化型メモリ）について、「Flash Memory Summit（FMS） 2013」（2013年8月13～15日、米国カリフォルニア州Santa Clara）で開かれたReRAMに関する技術セッションで講演した。登壇者は、ソニー デバイスソリューション事業本部 企画管理部門 次世代メモリ事業準備室 統括部長の筒井敬一氏である。
ソニーは現在、DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋めるストレージ・クラス・メモリ（SCM）の実現に向けてReRAMの開発を進めている。スマートフォンやタブレット端末などの民生機器のほか、エンタープライズ（企業）向け大容量NANDストレージなどにおいて「DRAM搭載量を減らせるメリットを訴求する」（筒井氏）考えだ。
ソニーがSCMの候補としてReRAMに狙いを定めたのは、メモリ・セルを微細化しやすいことや、クロスポイント型のセル・アレイを採れることから、高集積化しやすいためという。ソニーはかねて（電極間の金属原子の架橋現象を用いる）導電性ブリッジ型ReRAM（conductive bridge RAM：CBRAM）の開発を手掛けており、既に10nm前後までのスケーラビリティを検証済みである。ただし同社は先端メモリの製造能力を持たないため、2011年からは製造のパートナーにMicron社を選び、同社と共同開発を進めている。
今回の講演でソニーは、2015年に16Gビット級のReRAMを製品化したい、とする意欲的な計画を示した。20nm世代前後のプロセス技術を用いたチップとなる見通しで、既にテスト・チップの設計に着手しているもようである。
