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【FMS】ソニーとMicronが共同開発中のReRAM、「2015年に16Gビット品の製品化目指す」

大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
2013/08/21 06:00
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ソニーの講演の様子
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ReRAMのポテンシャルを強調
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ストレージ・クラス・メモリを狙う
ストレージ・クラス・メモリを狙う
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ECC技術が重要に
ECC技術が重要に
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 ソニーは米Micron Technology社と共同開発を進めているReRAM(抵抗変化型メモリ)について、「Flash Memory Summit(FMS) 2013」(2013年8月13~15日、米国カリフォルニア州Santa Clara)で開かれたReRAMに関する技術セッションで講演した。登壇者は、ソニー デバイスソリューション事業本部 企画管理部門 次世代メモリ事業準備室 統括部長の筒井敬一氏である。

 ソニーは現在、DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋めるストレージ・クラス・メモリ(SCM)の実現に向けてReRAMの開発を進めている。スマートフォンやタブレット端末などの民生機器のほか、エンタープライズ(企業)向け大容量NANDストレージなどにおいて「DRAM搭載量を減らせるメリットを訴求する」(筒井氏)考えだ。

 ソニーがSCMの候補としてReRAMに狙いを定めたのは、メモリ・セルを微細化しやすいことや、クロスポイント型のセル・アレイを採れることから、高集積化しやすいためという。ソニーはかねて(電極間の金属原子の架橋現象を用いる)導電性ブリッジ型ReRAM(conductive bridge RAM:CBRAM)の開発を手掛けており、既に10nm前後までのスケーラビリティを検証済みである。ただし同社は先端メモリの製造能力を持たないため、2011年からは製造のパートナーにMicron社を選び、同社と共同開発を進めている。

 今回の講演でソニーは、2015年に16Gビット級のReRAMを製品化したい、とする意欲的な計画を示した。20nm世代前後のプロセス技術を用いたチップとなる見通しで、既にテスト・チップの設計に着手しているもようである。

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